НЕДВИЖИМОСТЬ  
  1-КОМН. КВАРТИРЫ  (68)
  2-КОМН. КВАРТИРЫ  (179)
  3-КОМН. КВАРТИРЫ  (168)
  4 И БОЛЕЕ КОМН. КВАРТИРЫ  (78)
  ДОМА, КОТТЕДЖИ  (0)
  ЗЕМЕЛЬНЫЕ УЧАСТКИ  (23)
  КОММЕРЧЕСКАЯ  (116)
  ЗАГОРОДНАЯ  (0)
  ГАРАЖИ  (12)
ВИД СДЕЛКИ  
  ПОКУПКА  (22)
  ПРОДАЖА  (641)
  АРЕНДА  (62)
  ОБМЕН  (85)




ПОИСК НЕДВИЖИМОСТИ
Купить Продать Аренда
Подробнее




































Супер круто скачать google chrome для лджи P768 и использовать ежедневно.

Особенности замены транзисторов в

При разработке, ремонте и повседневной работе сотовой аппаратуры следует принимать во внимание ее специфические особенности. Хорошая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть достигнута максимально при контроле таких факторов, как разброс свойств транзисторов, их температурная стабильность и зависимость характеристик от вида работы и изменение параметров транзисторов в процессе использования.

Электронные приборы сохраняют свои характеристики в установленных рамках в условиях эксплуатации, транспортировкии хранения, характерных для разных видов и классов техники. Условия работы техники могут изменяться в обширных диапазонах. Рабочие условия характеризуются внешними ударными силами и климатическими параметрами (атмосферными и др.).

Общие требования, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного типа, содержатся в общих технических требованиях. Нормы на значения предельных параметров и специфические задания, относящиеся к конкретному классу транзистора, есть в частных технических условиях.

Для сокращения времени конструирования и ремонта электроники, основные параметры транзисторов и их цоколевка доступны в справочнике. К преимуществам online справочника необходимо отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск нужного биполярного транзистора по маркировке и простой поиск аналогов.

Под действием различных факторов климата некоторые параметры транзисторов и свойства будут изменяться. Для герметичной защиты полупроводниковых структур от климатических воздействий применяются корпуса приборов. Конструктивное оформление полупроводниковых приборов рассчитано на их надежную работу в составе средств спутниковой связи при любых допустимых условиях использования. Необходимо запомнить, что корпуса транзисторов, к сожалению, имеют ограничение по герметичности. Следовательно при применении полевых транзисторов в электротехнике, необходимой для работы в условиях повышенной влажности, платы с установленными на них электронными элементами важно обрабатывать защитным составом не менее чем в три слоя.

Все большее распространение получают так называемые бескорпусные элементы, изготовленные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы данных элементов защищены специальным слоем, но он не дает прочной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу средств связи, конструктор должен не только знать характерные особенности полевых транзисторов на этапе разработки электроники, но и описать соответствующие условия ее работы и хранения.

полевые транзисторы - трехполюсники широкого круга применения. Они могут быть успешно внедрены не только в виде приборов, для которых они разработаны, но и в любых других аппаратах. Однако матрица параметров и характеристик, находящихся в Интернет справочнике, соответствует первоочередному использованию приборов. В справочнике есть значения параметров биполярных транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в технических условиях.

Значения многих параметров транзисторов зависят от проектируемого режима и температуры, причем с увеличением температуры значение параметров от режима видно более сильно. В хорошем справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) значения параметров транзисторов от тока, напряжения, влажности, частоты и т. п. Эти взаимные влияния могут использоваться при выборе типа транзистора и предварительных расчетах, так как значения характеристик трехполюсников одного типа не идентичны, а находятся в некотором интервале. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, стоящим в справочнике. Некоторые свойства имеют двустороннее ограничение.

При разработке устройств связи необходимо стремиться обеспечить их эффективность в возможно более больших диапазонах изменений важных характеристик транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при ремонте могут быть учтены расчетными методами или эмпирически — способом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим n-p переходом функционируют в режиме обеднения p-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых эксплуатируемая область находится от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено потенциалом пробоя изолятора затвора.

В системах связи полупроводниковый прибор может быть использован в большом диапазоне потенциалов и токов. Ограничением являются значения предельно допустимых режимов, нарушение которых в условиях функционирования не допускается независимо от продолжительности скачков напряжения или тока. Поэтому при применении трехполюсников необходимо обеспечить их защиту от мгновенных изменений токов и потенциалов, возникающих при переходных процессах (моменты включения и т.п.), мгновенных скачках питающих напряжений. Не допускается также функционирование трехполюсников в совмещенных предельных режимах (например, по напряжению и току).

Режимы функционирования транзисторов обязаны контролироваться с учетом возможных экстремальных сочетаний условий применения электротехники.

Для транзисторов, предназначенных для работы на согласованную нагрузку, при эксплуатации аппаратуры необходимо принимать меры, исключающие возможность функционирования транзистора на рассогласованную нагрузку. Если полностью это исключить нет возможности, то настройку следует делать при пониженном напряжении питания или низкой мощности возбуждения.

Из справочника можно получить характеристики транзистора 2G525.
   
Недвижимость Киев. Агентства недвижимости. Квартиры посуточно. Ремонт квартир. полезные статьи